本公司研发设计的基于GaN的单相OBC产品,具有体积小、效率高、功率密度大、重量轻的特点,不但可以高...
900VCascodeGaNFETinTO-247(sourcetab)产品说明GSR900D035...
产品介绍650V增强型功率晶体管底部冷却、低电感GaNPX®封装RDS(on)=25mΩIDS(ma...
650V50mΩGaNFET订购信息器件编号封装封装配置GSR065E0308x8mmPDFNTap...
产品简介GSR065D200是一款高压D型GaN晶体管。它提供获得专利的高密度横向布局GaN功率晶体...
产品介绍GSR065D046650V、35mΩ氮化镓(GaN)FET是一款采用GSRSemicond...
简介GSR065D34(650VSuperGaN®FETinTO-263)GSR065D034650...
产品说明GSR065D25(650VGaNFETPQFNSeries)GSR065D25系列650V...
产品简介GSR065D013A(650VSuperGaN®GaNFETinPQFN)GSR065D0...
产品介绍GSR065D100(直接驱动器D-模式)D3GaN(直接驱动器D-模式)GSR065D10...
产品介绍GSR065D095(650VSuperGaN™FETinTO-247)GSR065D046...
产品说明GSR065E011(650V150mΩGaNFET)GSR065E011是一种增强型GaN...
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年,项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件,以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物, 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品,充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势,汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源,组织筹建新型的IDM产品平台,助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
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