GSR065D200 是一款高压 D 型 GaN 晶体管。 它提供获得专利的高密度横向布局 GaN 功率晶体管和先进的封装，具有极低的 RDS(ON)、极快的开关性能和方便的小尺寸。 它在需要高电流和快速开关的应用中非常有效。
产品简介
GSR065D200 是一款高压 D 型 GaN 晶体管。 它提供获得专利的高密度横向布局 GaN 功率晶体管和先进的封装，具有极低的 RDS(ON)、极快的开关性能和方便的小尺寸。 它在需要高电流和快速开关的应用中非常有效。
主要特征
超快速切换
高功率密度
常开
全隔离封装（2.5KV）
应用
光伏逆变器
交直流电源
交流电机
电池充电器
汽车
激光驱动器
| Thermal characteristics | ||||||
Parameter |
Symbol | Values |
Unit |
Conditions | ||
| Min | Typical | Max | ||||
Thermal resistance, junction- Case | RθJC | - | - | 0.1 | ℃/W | |
Thermal resistance, junction - Ambient | RθJA | - | - | 65 | ℃/W | |
Soldering peak body Temperature | Tp | - | - | 260 | ℃ | |
| Maximum ratings (Tc =25ºC unless otherwise specified) | ||||||
Parameter |
Symbol | Values |
Unit |
Conditions | ||
| Min | Typical | Max | ||||
| Continuous drain current | ID | - - | - - | 80 58 | A | TC =25℃ TC =100℃ |
| Pulsed drain current1) | ID,pulse | - | - | 180 | A | |
| Gate source voltage2) | VGS | -25 | - | +6 | V | |
| Power dissipation | PTOT | - | - | 278 | W | |
Operating and storage Temperature | Tj ,Tstg | -55 | - | +150 |
℃ | |
| Tc | +150 | |||||
| Continuous reverse current | Is | - | - | 70 | A | |
| Reverse pulse current1) | Is,pulse | - | - | 140 | A | |
GSR065D200A
1) Duty cycle =10% and pulse width limited by Tjmax
2) See Typical Operating Circuit, VGS defined between terminals 3&4
| 产品图片 | 名称 | 类别 | 描述 | 查看 |
|---|---|---|---|---|
| GSR065D100 | 大功率氮化镓功率芯片 | D3GaN（直接驱动器D-模式）GSR0... | 查看 |
| 文件名称 | 版本 | 描述 | 下载 |
|---|---|---|---|
| GSR065D200A-datasheet-CN | V1.0 | 中文参数说明文档. | 下载 |
江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
