GSR065D046 650V、15 mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是一款采用 GSR 半导体 Gen V 平台的常关器件。它通过结合先进的高压 GaNHEMT 与低压硅 MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。Gen V 平台使用先进的外延和专利的设计技术来简化可制造性，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷来提高器件效率。
产品介绍
GSR065D095（650V SuperGaN™FET in TO-247）
GSR065D046 650V、35 mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是一款采用 GSR Semiconductors Gen IV 平台的常关器件。它通过结合先进的高压 GaNHEMT 与低压硅 MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。
Gen IV 平台使用先进的外延和专利的设计技术来简化可制造性，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷来提高器
产品特征
• 通过JEDEC认证的氮化镓技术 • 动态导通电阻生产测试
• 稳健的设计，定义为
— 宽栅安全裕度
— 瞬态过压能力
• 具有增强的浪涌电流能力
• 极低的QRR
• 交叉损耗减小
产品优点
• 启用图腾柱无桥PFC设计
— 提高功率密度
— 减小系统尺寸和重量
— 整体系统成本更低
| 主要规格 | |
| VDSS (V) | 650 |
| V(TR)DSS (V) | 800 |
| RDS(on)eff (mΩ) max* | 41 |
| QRR (nC) typ | 150 |
| QG (nC) typ | 22 |
绝对最大额定值 （Tc=25°C 除非另有说明)
| Symbol | Parameter | Limit Value | Unit | |
| VDSS | Drain to source voltage (TJ = -55°C to 150°C) | 650 |
V | |
| V(TR)DSS | Transient drain to source voltage a | 800 | ||
| VGSS | Gate to source voltage | ±20 | ||
| PD | Maximum power dissipation @TC=25°C | 156 | W | |
ID | Continuous drain current @TC=25°C b | 46.5 | A | |
| Continuous drain current @TC=100°C b | 29.5 | A | ||
| IDM | Pulsed drain current (pulse width: 10µs) | 240 | A | |
| TC | Operating temperature | Case | -55 to +150 | °C |
| TJ | Junction | -55 to +150 | °C | |
| TS | Storage temperature | -55 to +150 | °C | |
| TSOLD | Soldering peak temperature e | 260 | °C | |
a. 在关断状态下，尖峰占空比D<0.01，尖峰持续时间<30μs，无重复
b. 为了提高高电流操作下的稳定性，请参见第 3 页上的电路实现
c. 10 秒，距离外壳 1.6mm
热阻
| Symbol | Parameter | Typical | Unit |
| RΘJC | Junction-to-case | 0.8 | °C/W |
| RΘJA | Junction-to-ambient | 40 | °C/W |
电路实现
栅回路：
电源回路：
推荐的栅极驱动：（0V，12V），RG=30Ω
| Gate Ferrite Bead (FB1) | Required DC Link RC Snubber (RCDCL) a | Recommended Switching Node RC Snubber (RCSN) b |
| 200 — 270Ω at 100MHz | [4.7nF + 5Ω] x 2 | Not necessary b |
电气参数 (TJ=25°C unless otherwise stated)
| Symbol | Parameter | Min | Typ | Max | Unit | Test Conditions |
| Forward Device Characteristics | ||||||
| V(BL)DSS | Drain-source voltage | 650 | — | — | V | VGS=0V |
| VGS(th) | Gate threshold voltage | 3.3 | 4 | 4.8 | V |
VDS=VGS, ID=1mA |
| ΔVGS(th)/TJ | Gate threshold voltage temperature co- Efficient | — | -6.5 | — | mV/°C | |
RDS(on)eff |
Drain-source on-resistance a | — | 35 | 41 |
mΩ | VGS=10V, ID=30A |
| — | 72 | — | VGS=10V, ID=30A, TJ=150°C | |||
IDSS |
Drain-to-source leakage current | — | 3 | 30 |
µA | VDS=650V, VGS=0V |
| — | 20 | — | VDS=650V, VGS=0V, TJ=150°C | |||
IGSS | Gate-to-source forward leakage current | — | — | 400 |
nA | VGS=20V |
| Gate-to-source reverse leakage current | — | — | -400 | VGS=-20V | ||
| CISS | Input capacitance | — | 1500 | — |
pF |
VGS=0V, VDS=400V, f=1MHz |
| COSS | Output capacitance | — | 147 | — | ||
| CRSS | Reverse transfer capacitance | — | 5 | — | ||
| CO(er) | Output capacitance, energy related b | — | 220 | — |
pF |
VGS=0V, VDS=0V to 400V |
| CO(tr) | Output capacitance, time related c | — | 380 | — | ||
| QG | Total gate charge | — | 22 | — |
nC |
VDS=400V, VGS=0V to 10V, ID=32A |
| QGS | Gate-source charge | — | 8.4 | — | ||
| QGD | Gate-drain charge | — | 6.6 | — | ||
| QOSS | Output charge | — | 150 | — | nC | VGS=0V, VDS=0V to 400V |
| tD(on) | Turn-on delay | — | 60 | — |
ns |
VDS=400V, VGS=0V to 12V, RG=30 Ω, ID=32A, ZFB=180Ω at 100MHz (See Figure 14) |
| tR | Rise time | — | 10 | — | ||
| tD(off) | Turn-off delay | — | 94 | — | ||
| tF | Fall time | — | 10 | — | ||
| Symbol | Parameter | Min | Typ | Max | Unit | Test Conditions |
| Reverse Device Characteristics | ||||||
| IS | Reverse current | — | — | 29.5 | A | VGS=0V, TC=100°C ≤25% duty cycle |
VSD |
Reverse voltage a | — | 1.8 | — |
V | VGS=0V, IS=32A |
| — | 1.3 | — | VGS=0V, IS=16A | |||
| tRR | Reverse recovery time | — | 59 | — | ns | IS=32A, VDD=400V, di/dt=1000A/µs |
| QRR | Reverse recovery charge | — | 150 | — | nC | |
| (di/dt)RM | Reverse diode di/dt b | — | — | 3200 | A/µs | Circuit implementation and parameters on page 3 |
| 文件名称 | 版本 | 描述 | 下载 |
|---|---|---|---|
| GSR065D095A-datasheet-CN | V1.0 | 中文参数说明文档. | 下载 |
江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
