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产品概述

GSR065D095A

GSR065D046 650V、15 mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是一款采用 GSR 半导体 Gen V 平台的常关器件。它通过结合先进的高压 GaNHEMT 与低压硅 MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。Gen V 平台使用先进的外延和专利的设计技术来简化可制造性,同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷来提高器件效率。

氮化镓芯片 氮化镓 第三代半导体 金沙江半导体
产品规范 技术支持与服务

产品介绍

GSR065D095(650V SuperGaN™FET in TO-247)

GSR065D046 650V、35 mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是一款采用 GSR Semiconductors Gen IV 平台的常关器件。它通过结合先进的高压 GaNHEMT 与低压硅 MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。

Gen IV 平台使用先进的外延和专利的设计技术来简化可制造性,同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷来提高器

 

产品特征

    •   通过JEDEC认证的氮化镓技术    •   动态导通电阻生产测试

   •   稳健的设计,定义为

                   — 宽栅安全裕度

                   — 瞬态过压能力

    •   具有增强的浪涌电流能力

    •   极低的QRR

    •   交叉损耗减小

产品优点

    •   启用图腾柱无桥PFC设计

                   — 提高功率密度

                   — 减小系统尺寸和重量

                   — 整体系统成本更低

 

主要规格
VDSS (V)650
V(TR)DSS (V)800
RDS(on)eff (mΩ) max*41
QRR (nC) typ150
QG (nC) typ22

绝对最大额定值 (Tc=25°C 除非另有说明)

SymbolParameterLimit ValueUnit
VDSSDrain to source voltage (TJ = -55°C to 150°C)650

 

V

V(TR)DSSTransient drain to source voltage a800
VGSSGate to source voltage±20
PDMaximum power dissipation @TC=25°C156W

 

ID

Continuous drain current @TC=25°C b46.5A
Continuous drain current @TC=100°C b29.5A
IDMPulsed drain current (pulse width: 10µs)240A
TCOperating temperatureCase-55 to +150°C
TJJunction-55 to +150°C
TSStorage temperature-55 to +150°C
TSOLDSoldering peak temperature e260°C

 

a.      在关断状态下,尖峰占空比D<0.01,尖峰持续时间<30μs,无重复

b.      为了提高高电流操作下的稳定性,请参见第 3 页上的电路实现

c.      10 秒,距离外壳 1.6mm

 

热阻

SymbolParameterTypicalUnit
RΘJCJunction-to-case0.8°C/W
RΘJAJunction-to-ambient40°C/W

电路实现

栅回路:

  • 栅极驱动器:SiLab Si823x/Si827x
  • 保持栅极环路紧凑
  • 最小化与电源回路的耦合

 

电源回路:

  • 最小化电源回路路径电感
  • 将开关节点与高低功率平面的耦合降至最低
  • 添加DC总线缓冲器以降低电压振铃
  • 添加开关节点缓冲器以实现大电流操作

推荐的栅极驱动:(0V,12V),RG=30Ω

Gate Ferrite Bead (FB1)Required DC Link RC Snubber (RCDCL) a

Recommended Switching Node

RC Snubber (RCSN) b

200 — 270Ω at 100MHz[4.7nF + 5Ω] x 2Not necessary b

电气参数 (TJ=25°C unless otherwise stated)

SymbolParameterMinTypMaxUnitTest Conditions
Forward Device Characteristics
V(BL)DSSDrain-source voltage650VVGS=0V
VGS(th)Gate threshold voltage3.344.8V

 

VDS=VGS, ID=1mA

ΔVGS(th)/TJ

Gate threshold voltage temperature co-

Efficient

-6.5mV/°C

 

RDS(on)eff

 

Drain-source on-resistance a

3541

 

mΩ

VGS=10V, ID=30A
72VGS=10V, ID=30A, TJ=150°C

 

IDSS

 

Drain-to-source leakage current

330

 

µA

VDS=650V, VGS=0V
20VDS=650V, VGS=0V, TJ=150°C

 

IGSS

Gate-to-source forward leakage current400

 

nA

VGS=20V
Gate-to-source reverse leakage current-400VGS=-20V
CISSInput capacitance1500

 

pF

 

VGS=0V, VDS=400V, f=1MHz

COSSOutput capacitance147
CRSSReverse transfer capacitance5
CO(er)Output capacitance, energy related b220

 

pF

 

VGS=0V, VDS=0V to 400V

CO(tr)Output capacitance, time related c380
QGTotal gate charge22

 

nC

 

VDS=400V, VGS=0V to 10V,

ID=32A

QGSGate-source charge8.4
QGDGate-drain charge6.6
QOSSOutput charge150nCVGS=0V, VDS=0V to 400V
tD(on)Turn-on delay60

 

ns

 

VDS=400V, VGS=0V to 12V,

RG=30 Ω, ID=32A, ZFB=180Ω at

100MHz (See Figure 14)

tRRise time10
tD(off)Turn-off delay94
tFFall time10
SymbolParameterMinTypMaxUnitTest Conditions
Reverse Device Characteristics
ISReverse current29.5A

VGS=0V, TC=100°C

≤25% duty cycle

 

VSD

 

Reverse voltage a

1.8

 

V

VGS=0V, IS=32A
1.3VGS=0V, IS=16A
tRRReverse recovery time59ns

IS=32A, VDD=400V,

di/dt=1000A/µs

QRRReverse recovery charge150nC
(di/dt)RMReverse diode di/dt b3200A/µs

Circuit implementation and

parameters on page 3

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江苏镓宏半导体有限公司

江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年,项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件,以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物, 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品,充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势,汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源,组织筹建新型的IDM产品平台,助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。

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