GSR065D034 650V、50 mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是一款常关器件。它通过结合先进的高压 GaNHEMT 与低压硅 MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。使用先进的外延和专利的设计技术来简化可制造性，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷来提高器件效率。
GSR065D34（650V SuperGaN® FET in TO-263）
GSR065D034 650V、50 mΩ 氮化镓 (GaN) FET 是一款常关器件。它通过结合先进的高压 GaNHEMT 与低压硅 MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。
使用先进的外延和专利的设计技术来简化可制造性，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷来提高器件效率。
产品特征
| 主要规格 | |
| VDSS (V) | 650 |
| VDSS(TR)(V) | 800 |
| RDS(on)eff (mΩ) max* | 60 |
| QRR (nC) typ | 120 |
| QG (nC) typ | 16 |
绝对最大额定值 （Tc=25°C 除非另有说明)
| Symbol | Parameter | Limit Value | Unit | |
| VDSS | Drain to source voltage (TJ = -55°C to 150°C) | 650 |
V | |
| VDSS(TR) | Transient drain to source voltage a | 800 | ||
| VGSS | Gate to source voltage | ±20 | ||
| PD | Maximum power dissipation @TC=25°C | 119 | W | |
ID | Continuous drain current @TC=25°C b | 34 | A | |
| Continuous drain current @TC=100°C b | 22 | A | ||
| IDM | Pulsed drain current (pulse width: 10µs) | 150 | A | |
| TC |
Operating temperature | Case | -55 to +150 | °C |
| TJ | Junction | -55 to +150 | °C | |
| TS | Storage temperature | -55 to +150 | °C | |
| TSOLD | Soldering peak temperature c | 260 | °C | |
Notes:
热阻
| Symbol | Parameter | Maximum | Unit |
| RΘJC | Junction-to-case | 1.05 | °C/W |
| RΘJA | Junction-to-ambient | 40 | °C/W |
| Symbol | Parameter | Min | Typ | Max | Unit | Test Conditions |
| Forward Device Characteristics | ||||||
| VDSS(BL) | Drain-source voltage | 650 | — | — | V | VGS=0V |
| VGS(th) | Gate threshold voltage | 3.3 | 4 | 4.8 | V |
VDS=VGS, ID=0.7mA |
| ΔVGS(th)/TJ | Gate threshold voltage temperature coefficient | — | -6.2 | — | mV/°C | |
RDS(on)eff |
Drain-source on-resistance a | — | 50 | 60 |
mΩ | VGS=10V, ID=22A |
| — | 105 | — | VGS=10V, ID=22A, TJ=150°C | |||
IDSS |
Drain-to-source leakage current | — | 4 | 40 |
µA | VDS=650V, VGS=0V |
| — | 15 | — | VDS=650V, VGS=0V, TJ=150°C | |||
IGSS |
Gate-to-source forward leakage current | — | — | 100 |
nA | VGS=20V |
| — | — | -100 | VGS=-20V | |||
| CISS | Input capacitance | — | 1000 | — |
pF |
VGS=0V, VDS=400V, f=1MHz |
| COSS | Output capacitance | — | 110 | — | ||
| CRSS | Reverse transfer capacitance | — | 6 | — | ||
| CO(er) | Output capacitance, energy related b | — | 164 | — |
pF |
VGS=0V, VDS=0V to 400V |
| CO(tr) | Output capacitance, time related c | — | 280 | — | ||
| QG | Total gate charge | — | 16 | 24 |
nC |
VDS=400V, VGS=0V to 10V, ID=22A |
| QGS | Gate-source charge | — | 6 | — | ||
| QGD | Gate-drain charge | — | 5 | — | ||
| QOSS | Output charge | — | 120 | — | nC | VGS=0V, VDS=0V to 400V |
| tD(on) | Turn-on delay | — | 49.2 | — |
ns |
VDS=400V, VGS=0V to 10V, ID=22A, Rg=45Ω, ZFB=240Ω at 100MHz (See Figure 14) |
| tR | Rise time | — | 11.3 | — | ||
| tD(off) | Turn-off delay | — | 88.3 | — | ||
| tF | Fall time | — | 10.9 | — | ||
Notes:
电气参数 (TJ=25°C 除非另有说明)
| Symbol | Parameter | Min | Typ | Max | Unit | Test Conditions |
| Reverse Device Characteristics | ||||||
| IS | Reverse current | — | — | 22 | A | VGS=0V, TC=100°C, ≤25% duty cycle |
VSD |
Reverse voltage a | — | 2.2 | 2.6 |
V | VGS=0V, IS=22A |
| — | 1.6 | 1.9 | VGS=0V, IS=11A | |||
| tRR | Reverse recovery time | — | 50 | — | ns |
IS=22A, VDD=400V |
| QRR | Reverse recovery charge | — | 120 | — | nC | |
(di/dt)RM |
Reverse diode di/dt b |
— |
— |
2500 |
A/µs | Circuit implementation and parameters on page 3 |
Notes:
| 文件名称 | 版本 | 描述 | 下载 |
|---|---|---|---|
| GSR065D34A-datasheet-CN | V1.0 | 中文参数说明文档. | 下载 |
江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
