D3GaN（直接驱动器D-模式）GSR065D100A功率开关将获得专利的高密度横向 GaN 功率晶体管集成到具有极低 RDS(ON) 和异常高效开关性能的常关型产品中。D3GaN技术集成于一个独立的高功率SMD封装中，它在需要高功率和效率、低体积和成本的应用中非常有效。其体积小成本低。集成的安全功能确保了系统在启动和关闭过程中的安全运行，同时不会影响 GaN 晶体管的开关性能。
GSR065D100（直接驱动器D-模式）
D3GaN（直接驱动器D-模式）GSR065D100A功率开关将获得专利的高密度横向 GaN 功率晶体管集成到具有极低 RDS(ON) 和异常高效开关性能的常关型产品中。D3GaN技术集成于一个独立的高功率SMD封装中，它在需要高功率和效率、低体积和成本的应用中非常有效。其体积小成本低。集成的安全功能确保了系统在启动和关闭过程中的安全运行，同时不会影响 GaN 晶体管的开关性能。
| Parameter | Value |
| VDS(V) | 650 |
| RDS(ON)(mΩ) | 22 |
| QG(nC) | 41 |
| ID,pulse(A) | 250 |
| ID(A) | 100 |
电气参数(Tc=25ºC 除非另有说明)
Parameter |
Symbol | Values |
Unit |
Conditions | ||
| Min | Typical | Max | ||||
| Continuousdraincurrent | ID | - - | - - | 100 80 | A | TC=25°C TC=100°C |
| Pulseddraincurrent1) | ID,pulse | - | - | 250 | A | |
| Gatesourcevoltage2) | VGS | -25 | - | +6 | V | |
| Powerdissipation | PTOT | - | - | 278 | W | |
Operatingandstoragetemperature | Tj,Tstg | -55 | - | +150 |
°C | |
| TC | - | - | +150 | |||
| Continuousreversecurrent | Is | - | - | 100 | A | |
| Reversepulsecurrent1) | Is,pulse | - | - | 250 | A | |
| Thermalcharacteristics（热性能） | ||||||
Parameter |
Symbol | Values |
Unit |
Conditions | ||
| Min | Typical | Max | ||||
| Thermalresistance,junction-case |
RθJC |
- |
- |
0.3 |
| Junction totopthermal pad |
Thermalresistance,junction- ambient | RθJA | - | - | 65 |
| |
Solderingpeakbody temperature | Tp | - | - | 260 | °C | |
Timewithin5°Cfrompeak solderingtemperature | tc | 30 | S | |||
| 电气特性(Tc=25°C除非另有说明) | ||||||
| Parameter | Symbol | Values | Unit | Conditions | ||
| Min | Typical | Max | ||||
| Static | ||||||
| Drain-sourcebreakdownvoltage | V(BR)DS | 650 | - | 800 | V | VGS=-15V,Id=1mA |
| Gatethresholdvoltage1)2) | Vth | 6.3 | 6.8 | 8.7 | V | ID=1mA,VDD=15V |
Drainsourceleakagecurrent1) |
IDSS | - | 20 | 60 |
µA | VGS=-15V VDS=650VTj=25°C |
| - | 75 | 200 | VGS=-15VVDS=650VTj=150°C | |||
| GaNGateleakagecurrent | IGSS | - | 0.01 | 200 | uA | VDS=400VVGS=-15V |
| Gateresistance | RG | - | 1.4 | - | Ω | f=1Mhz |
Drain-sourceonstateresistance |
RDS(ON) | - | 22 | 27 |
mΩ | VG=15V ID=35ATj=25°C |
| - | 42 | 52 | VG=15VID=35A Tj=150°C | |||
| Reversevoltagedrop-GaNnonconductive |
VR | - | - | 7.5 |
V | ID=10ATj=25°C |
| - | - | 9.5 | ID=10ATj=150°C | |||
| Reversevoltagedrop-GaNconductive |
VR | - | - | 0.2 |
V | ID=10ATj=25°C |
| - | - | 0.4 | ID=10ATj=150°C | |||
| Reverserecoverytime | trr | - | - | 0 | ns | |
| Reverserecoverycharge | Qrr | - | - | 0 | nC | |
| OutputCharge | Qoss | - | - | 171 | nC | VG=0VVDS=400V |
| Activationsignal2) | V(As,En) | - | 0 | - | V | VDD=-15V |
| Dynamic | ||||||
| Inputcapacitance | Ciss | - | 760 | 800 |
pF | f=1MHzVG=0VVDS=400V |
| Outputcapacitance | Coss | - | 200 | 240 | ||
| Reversetransfercapacitance | Crss | - | 26 | 30 | ||
| EffectiveOutputCapacitance,EnergyRelated | CO(ER) | - | - | 278 | pF | VG=0V VDS=0to400V |
| Turn-ondelaytime3) | td(on) | - | 9 | - |
ns | VDS=400VVG=0-15V 3)Rcon=100Ω 3)Rcoff=20Ohm ID=35A |
| Falltime3) | tf | - | 10.8 | - | ||
| Turn-offdelaytime3) | td(off) | - | 15.5 | - | ||
| Risetime3) | tr | - | 6.5 | - | ||
| 电气特性(Tc=25ºC除非另有说明) | ||||||
Parameter |
Symbol | Values |
Unit |
Conditions | ||
| Min | Typical | Max | ||||
| Gatechargecharacteristics | ||||||
| Gatetosourcecharge1) | QGS | - | 4.3 | - |
nC |
VGS V2)=0to10V VDS=400VID=30A |
| Gatetodraincharge1) | QGD | - | 33 | - | ||
| Totalgatecharge1) | QG | - | 41 | - | ||
| Gateplateauvoltage1) | Vplateau | 6 | - | 7 | V | |
| CasetodrainCapacitance | ||||||
| Capacitance | CC | - | 20 | - | pF | @1 MHz 0.1VRMS |
| Pin特点 | ||||||
| Parameter | Symbol | Values | Unit | Conditions | ||
| Min | Typical | Max | ||||
| Pin1Activationsignal2) | ||||||
| Disablevoltage | Pin1 | 0 | - | 9.1 | V | VDS=400V |
| Enablevoltage | Pin1 | 9.3 | 15 | 15 | ||
| Pin2Comsignal3) | ||||||
| Voltageatdisablemode | Pin2 | 8 |
V | VDS>20V | ||
| VoltageatEnablemode | Pin2 | 0 | 0 | 0.1 | V31=Id*0.002 | |
| Pin3Gate2) | ||||||
GateVoltagefornon-Conducting mode | Pin3 | 0 | - | 4.5 | V | VDS=400V |
| GateVoltageforconductingmode | Pin3 | 5.5 | - | 12 | ||
| Pin4ComPower2) | ||||||
| Pin4 | 10 | 15 | 15 | V | ||
| Pin5Enablemustbeconnectedtopin1 | ||||||
| 产品图片 | 名称 | 类别 | 描述 | 查看 |
|---|---|---|---|---|
| GSR065D200A | 大功率氮化镓功率芯片 | GSR065D200 是一款高压 D 型... | 查看 |
| 文件名称 | 版本 | 描述 | 下载 |
|---|---|---|---|
| GSR065D100-datasheet-CN | V1.0 | 中文参数说明文档. | 下载 |
江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
